SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术
2026-08-07 阅读：6 次
8 月 7 日消息，SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。
SK 海力士宣称 V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。SK 海力士计划 2027H1 量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘。
SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32DP 2CH 型号堆叠了 32 个 NAND Die，是首款类似封装的 TLC；而 4 通道封装版本面积仅 13.5mm × 12.5mm，比传统的 14mm × 18mm 更为小巧。
此外，SK 海力士还展示了基于 V9H 1Tb TLC NAND 的 UFS 5.0 解决方案 UG500：其提供 512GB 和 1TB 两种容量，能效较 UFS 4.1 改进 19%。同时展出的还有基于 1c nm 16Gb Die 的 LPDDR6 颗粒。
SK 海力士的首款性价比 PCIe Gen5 QLC 固态硬盘 PQF02 也有展出。其基于 V9 QLC NAND，提供 1TB 和 2TB 版本，采用 4 通道主控，支持从 2230 到 2280 的 M.2 外形规格。